[发明专利]制备贴合于基片的稠环芳香族有机半导体单晶纳米结构的方法

摘要

本发明公开了制备贴合于基片的稠环芳香族有机半导体单晶纳米结构的方法。本发明利用在基片上有序排列的籽晶作为生长核心，通过物理气相输送的方式，在晶核基础上生长出有序排列的单晶纳米结构，具有如下的优点：1)生长的纳米结构为单晶，均匀性较好；2)可以人为控制生成纳米结构的取向，甚至可以实现定位取向生长；3)能够在原位生成与基片表面完美贴合的纳米结构，生成的纳米线结构与基片表面间的界面不会受到人为操作或有机溶剂的污染和损坏，用这种纳米结构可以获得具有低阈值电压、高迁移率和高开关比的有机单晶纳米场效应晶体管，应用前景广阔。

主权项

1.一种制备贴合于基片的稠环芳香族有机半导体单晶纳米结构的方法，包括如下步骤：1)制备稠环芳香族有机半导体单晶微/纳米材料；2)将所得稠环芳香族有机半导体单晶微/纳米材料制备成纳米晶核，然后转移到带有二氧化硅绝缘层的低阻硅片上，作为沉积衬底；3)将蒸发源和沉积衬底分别放置于带有真空系统的两段控温管式电阻炉的两段中，抽真空到1-20Pa；所述蒸发源为稠环芳香族有机半导体化合物；4)沿蒸发源到沉积衬底的方向通入保护气，保护气气流量为200-300sccm；5)将蒸发段温度升温，控制其温度略高于蒸发源在炉内真空度下的升华温度；控制沉积段温度，使其温度低于蒸发源在炉内真空度下的凝华温度，保温后在沉积衬底上得到贴合于衬底的稠环芳香族有机半导体单晶纳米结构。