[发明专利]硅V形槽板及利用硅V形槽板装配微丝电极阵列的方法无效

专利信息
申请号: 200610088945.9 申请日: 2006-07-27
公开(公告)号: CN101112309A 公开(公告)日: 2008-01-30
发明(设计)人: 陈弘达;张若昕;裴为华;隋小红 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: A61B5/0478 分类号: A61B5/0478
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种硅V形槽板,其特征在于,包括:一硅底板,该硅底板为长方体,在其上面的一侧开有一端部贯通的凹槽;在凹槽的另一侧纵向开有多个V形槽。该硅V形槽板便于获得方便可控的电极排布及定位,所制作的电极阵列用于大脑皮层植入提取神经电信号。
搜索关键词: 形槽板 利用 装配 电极 阵列 方法
【主权项】:
1.一种硅V形槽板,其特征在于,包括:一硅底板,该硅底板为长方体,在其上面的一侧开有一端部贯通的凹槽;在凹槽的另一侧纵向开有多个V形槽。
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