[发明专利]非线性光学活性有机硅聚合物及其制备方法和用途无效
申请号: | 200610088990.4 | 申请日: | 2006-07-28 |
公开(公告)号: | CN101114104A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | 邱玲;郭昆朋;沈玉全 | 申请(专利权)人: | 中国科学院理化技术研究所 |
主分类号: | G02F1/361 | 分类号: | G02F1/361 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 李柏 |
地址: | 100080北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及有机光功能材料领域,特别涉及非线性光学活性有机硅聚合物及其制备方法和用途。本发明的制备方法特征为:用重氮化偶合的后功能化方法在苯胺类有机硅化合物中引入电子受体,在该过程中有机硅单体变成预聚物,该预聚物制备成薄膜后在电场中升温极化交联,制备出具有电光活性的有机硅交联聚合物薄膜。该非线性光学活性有机硅聚合物能作为光电器件制备的材料,以及作为二阶非线性光学材料。本发明的方法采用了新的制备路线,方法简便,而且为制备类似结构的有机硅聚合物提供了一种参考路线,对其它有机硅功能材料的合成及电光器件的制备有重大意义。该非线性光学活性有机硅聚合物的结构如上。 | ||
搜索关键词: | 非线性 光学 活性 有机硅 聚合物 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】:
1.一种非线性光学活性有机硅聚合物,其特征是,该聚合物的结构为:
其中:R1是H、10个碳原子以下的烷基、10个碳原子以下的烷氧基或酰氨基;A代表下面结构的电子受体部分:
其中:R2为NO2、CN或SO2R吸电子基团,R3为H、NO2、CN或SO2R,R4、R5为碳原子数1~10的烷基;所述的R为10个碳原子以下的烷基。
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