[发明专利]一种生长立方织构三氧化二钇膜层的方法有效
| 申请号： | 200610089044.1 | 申请日： | 2006-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101117702A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 屈飞;杨坚;刘慧舟 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种生长立方织构氧化钇膜层的方法，包括：(1)将具有立方织构的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理；(2)清洗后的上述衬底置于磁控溅射沉积腔体中，抽真空至腔体的背底真空小于或等于5×10－4Pa。将衬底加热至500－820℃，再充氩气至腔体气压1×10－1Pa－8×10－1Pa。以Y金属为溅射靶材，采用直流磁控溅射沉积方法，开始预溅射；(3)预溅射20分钟后，通入水气，使沉积腔体内的水含量控制在1×10－3－8×10－3Pa，并调控制沉积腔体内压力至1Pa－5Pa，开始正式溅射沉积，沉积完后，即得氧化钇膜。所制得的氧化钇隔离层具有单一立方织构，以满足在其上外延生长其它隔离层并生长YBCO涂层的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 立方 织构三 氧化 二钇膜层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生长立方织构氧化钇膜层的方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：(1)、将具有立方织构的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理；(2)、清洗后的上述衬底置于磁控溅射沉积腔体中，抽真空至腔体的背底真空小于或等于5×10-4Pa；将衬底加热至500-820℃，再充氩气至腔体气压1×10-1Pa-8×10-1Pa；以Y金属为溅射靶材，采用直流磁控溅射沉积方法，开始预溅射；(3)、预溅射20分钟后，通入水气，使沉积腔体内的水含量控制在1×10-3-8×10-3Pa，并调控制沉积腔体内压力至1Pa-5Pa，开始正式溅射沉积，沉积完后，即得氧化钇膜。
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