[发明专利]RF MEMS 开关的互联结构的实现方法无效
| 申请号： | 200610089304.5 | 申请日： | 2006-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN101090169A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 李志宏;施文典 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01P1/12 | 分类号： | H01P1/12 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种RF MEMS开关的互联结构的实现方法，属于射频微机电开关(RF MEMS Switch)的技术领域。该方法利用一次多晶硅的生长，制备RF MEMS开关的驱动、互联结构和接触部分，其中，驱动和接触部分为掺杂的多晶硅，驱动和接触部分之间的互联结构为非掺杂多晶硅。本发明利用非掺杂的多晶硅作为RF MEMS开关驱动结构和接触结构之间的互联结构，在实现机械互联的同时，能够有效达到电学绝缘的效果。其方法简单实用、不需要额外淀积绝缘薄膜，避免了绝缘薄膜应力引入的翘曲变形，并提高互联结构的机械强度和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | rf mems 开关 联结 实现 方法 | ||
【主权项】：
1、一种RF MEMS开关的互联结构的实现方法，其特征在于：利用一次多晶硅的生长，制备RF MEMS开关的驱动、互联结构和接触部分，其中，驱动和接触部分为掺杂的多晶硅，驱动和接触部分之间的互联结构为非掺杂多晶硅。
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