[发明专利]采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管无效
| 申请号： | 200610089445.7 | 申请日： | 2006-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101097994A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 秦大山;曹国华;曹俊松;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;C09K11/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管，由以下部分组成：一衬底；一正极沉积在衬底上；一有机电子受体层沉积在正极上，用于向正极有效的传递电子；一金属薄层沉积在有机电子受体层上，用于产生电子和空穴；一有机空穴注入层沉积在金属薄层上，用于接受金属薄层中产生的空穴；一有机空穴传输层沉积在有机空穴注入层上，用于传输空穴；一有机发光层沉积在有机空穴传输层上的，用于发出可见光；一有机电子传输层沉积在有机发光层上，用于传输电子；一阴极沉积在有机电子传输层上。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 有机 电子 受体 促进 空穴 有效 注入 发光二极管 | ||
【主权项】：
1、一种采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管，其特征在于， 由以下部分组成：一衬底；一正极，该正极沉积在衬底上；一有机电子受体层，该有机电子受体层沉积在正极上，用于向正极有效的传递电子；一金属薄层，该金属薄层沉积在有机电子受体层上，用于产生电子和空穴；一有机空穴注入层，该有机空穴注入层沉积在金属薄层上，用于接受金属薄层中产生的空穴；一有机空穴传输层，该有机空穴传输层沉积在有机空穴注入层上，用于传输空穴；一有机发光层，该有机发光层沉积在有机空穴传输层上的，用于发出可见光；一有机电子传输层，该有机电子传输层沉积在有机发光层上，用于传输电子；一阴极，该阴极沉积在有机电子传输层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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