[发明专利]内埋式晶片封装结构及其制程有效
| 申请号： | 200610090260.8 | 申请日： | 2006-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN101106094A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 郑振华 | 申请（专利权）人： | 欣兴电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L25/00;H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾桃园县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种内埋式晶片封装制程，包括：提供一第一基板，此基板上具有一第一图案化线路层，将一第一晶片配置于第一图案化线路层上且与第一图案化线路层电性连接。接着提供一第二基板，此基板上具有一第二图案化线路层，将一第二晶片配置于第二图案化线路层上且与第二图案化线路层电性连接。之后将一介电材料覆盖于第一图案化线路层与第一晶片上；接着再进行一压合步骤，将第二基板覆盖于介电材料上，且第二基板上的第二图案化线路层以及第二晶片内埋于介电材料中。 | ||
| 搜索关键词： | 内埋式 晶片 封装 结构 及其 | ||
【主权项】：
1.一种内埋式晶片封装制程，其特征在于其包括：提供一第一基板，该第一基板上具有一第一图案化线路层，该第一图案化线路层具有至少一第一焊垫，将一第一晶片配置于该第一焊垫上且与该第一图案化线路层电性连接；提供一第二基板，该第二基板上具有一第二图案化线路层，该第二图案化线路层具有至少一第二焊垫，将一第二晶片配置于该第二焊垫上且与该第二图案化线路层电性连接；将一介电材料覆盖于该第一图案化线路层与该第一晶片上；以及进行一压合步骤，将该第二基板覆盖于该介电材料上，且该第二基板上的该第二图案化线路层以及该第二晶片内埋于该介电材料中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
