[发明专利]非挥发性记忆胞结构以及操作方法有效
| 申请号： | 200610090497.6 | 申请日： | 2006-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101097951A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 连浩明;李明修 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/115;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非挥发性记忆胞结构、混合型非挥发性记忆胞阵列结构以及程式化方法，在混合型非挥发性记忆胞阵列结构中，每一非挥发性记忆胞至少具有一空乏型记忆胞。其中此空乏型记忆胞是以一闸极结构与一掺杂区组成。由于掺杂区的厚度相对较薄，因此藉由在闸极结构上外加一电压以转换闸极结构下方的掺杂区的导电性，并且同时在掺杂区的两端外加一偏压以控制此空乏型记忆胞的操作。此外，混合型非挥发性记忆胞阵列的每一非挥发性记忆胞还包括一加强型记忆胞，因此每一非挥发性记忆胞至少提供四个载子储存位置，而提高单位记忆元件的储存位元数。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 记忆 结构 以及 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种非挥发性记忆胞，其特征在于其包括：一基底一掺杂区位于该基底中，其中该掺杂区具有一导电型，且由该基底的一上表面向该基底的一底部延伸；以及一闸极结构位于该基底上，并横跨该掺杂区，其中该闸极结构包括位于该基底的该掺杂区上的一多重载子储存单元以及于该多重载子储存单元上的一闸极，而该多重载子储存单元包括至少两载子储存位置，包括一第一载子储存位置与一第二载子储存位置，该第一载子储存位置与该第二载子储存位置分别位于该多重载子储存单元邻近该掺杂区的两侧，其中该基底上方没有埋入式扩散氧化层结构，且该闸极结构中具有完整的该多重载子储存单元。
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