[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200610090871.2 | 申请日： | 2006-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1925151A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 杨启超;劳伦斯·A·克莱文杰;许履尘;尼古拉斯·C·富勒;蒂莫西·J·多尔顿 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种反熔丝结构以及形成这样的反熔丝结构的方法，该反熔丝结构包括作为反熔丝材料的埋设导电例如金属层。根据本发明，发明的反熔丝结构包括互连之间漏电电介质的区域。当两个相邻互连被偏置时这些初始互连之间的电阻开始降低且导致时间相关的电介质击穿、TDDB现象发生。相邻互连之间电阻的降低还能通过增大局部温度而被加速。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：绝缘体，包括至少一对相邻互连，所述对中每个互连包括嵌入在所述绝缘体的表面中且围绕每个单独互连的一部分的埋设导电层，所述埋设导电层通过电介质区域被分隔开，当偏压施加到所述对的所述互连之间时所述电介质区域允许电流。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610090871.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
