[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200610091231.3 | 申请日： | 2006-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1901228A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 加藤树理;冈秀明;金本启;原寿树;酒井彻志 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社;国立大学法人东京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置在单晶半导体基板(11)上形成埋入氧化膜(12)，在埋入氧化膜(12)上形成有构成背栅电极的第1单晶半导体层(13)。并且，第1单晶半导体层(13)上形成埋入氧化膜(14)，在埋入氧化膜(14)上，堆积被台面隔离的第2单晶半导体层(15a、15b)，使第2单晶半导体层(15a、15b)的膜厚比第1单晶半导体层13的膜厚更厚，并且在第2单晶半导体层(15a、15b)上形成SOI晶体管。这样，能够抑制形成场效应晶体管的半导体层的结晶性能下降，并且在形成场效应晶体管的半导体层下面，配置低电阻化的背栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有：由形成在第1绝缘层上的第1单晶半导体层构成的背栅电极；形成在所述第1单晶半导体层上的第2绝缘层；形成在所述第2绝缘层上，且膜厚比所述第1单晶半导体层薄的第2单晶半导体层；形成在所述第2单晶半导体层上的栅电极；和形成在所述第2单晶半导体层，且被分别配置在所述栅电极侧方的源极/漏极层。
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