[发明专利]接触窗开口的形成方法无效
| 申请号： | 200610091526.0 | 申请日： | 2006-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101086976A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 纪盈州;王荣铎;杜英宗;徐朝焕 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 台湾省台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种接触窗开口的形成方法，此方法是先提供一基底，且此基底上至少具有一介电层。接着，在介电层上形成光阻层，然后再进行等离子体蚀刻制程，以于光阻层中形成一第一开口，并同时在介电层中形成一第二开口。其中，第一开口位于第二开口上方，且第一开口的底部孔径小于第二开口的顶部孔径。之后，将光阻层从介电层上移除。依此方法可形成暴露出至少有一部分不会被氧化的接触窗开口，以避免此导电图案与填入接触窗开口的导电层间的阻值过高。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 开口 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种接触窗开口的形成方法，包括：提供一基底，该基底上至少具有一介电层；于该介电层上形成一光阻层，其中该光阻层具有一第一开口；以该光阻层为掩模进行一等离子体蚀刻制程，以于该介电层中形成一第二开口，其中该第一开口的底部孔径小于该第二开口的顶部孔径；以及移除该光阻层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
