[发明专利]具铜导线结构的薄膜晶体管及其制造方法

摘要

一种具铜导线结构的薄膜晶体管及其制造方法，利用至少一铜合金层及一铜金属层来组成多层金属结构的栅极，在热处理后，可以改善晶格接口间的原子排列，及原子间的键结(即提升附着度)，并降低阻值，抑制铜离子扩散，使薄膜晶体管电性传导效率更好。此外，将多层金属薄层图形化时，仅需要单层铜蚀刻液，以简化导线的图形化工艺，且在结构上仅使用铜合金的薄层，更可降低制作薄膜晶体管的成本。

主权项

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包含：一栅极与一栅极线，形成在一基板上，而每一栅极与栅极线皆包含至少一铜合金层及一铜金属层，且该栅极为该栅极线的延伸；一栅极绝缘层，形成在该基板上，且覆盖在该栅极与该栅极线上方；一有源层，形成在该栅极绝缘层上，且覆盖在部分该栅极上；一欧姆接触层，形成在该有源层上；一数据线，形成在该栅极绝缘层上，且与该栅极线相交，以定义出一像素范围；一源极与一漏极，皆形成在该欧姆接触层上，且该源极是由该数据线延伸而出，以及该漏极配置于该源极相隔一间距之处；一保护层，形成在该栅极绝缘层上，且覆盖至该数据线、该源极及该漏极，其中该保护层包含一漏极接触口；以及一像素电极，形成在该像素范围内的该保护层上，且通过该漏极接触口来连结于该漏极。