[发明专利]包括叠层芯片的半导体器件生产方法及对应的半导体器件有效
| 申请号： | 200610092882.4 | 申请日： | 2006-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN1913149A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | H·赫德勒;T·迈尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/065;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 魏军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 形成第一重构晶片(reconstituted chip)的方法包括以下步骤：用由塑模填充的第一间隙将第一组多个芯片水平地分隔开来；在第一重构晶片的工作表面上形成第一再分配层。在上述步骤之前和/或之后，并行地形成了第二重构晶片。沿第二间隙切割上述第二重构晶片，以便形成各个嵌入式芯片。此后，在上述嵌入式芯片的工作表面和倾斜侧壁上形成了第二再分配层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 芯片 半导体器件 生产 方法 对应 | ||
【主权项】：
1.一种包括叠层芯片的半导体器件的生产方法包括以下步骤：(a)形成第一重构晶片，该晶片包括以填充了塑模的第一间隙进行水平分隔的第一组多个芯片，其中，所述第一组多个芯片的接触垫设置在所述第一重构晶片的工作表面中；(b)在所述第一重构晶片的所述工作表面上形成第一再分配层，所述第一再分配层接触所述第一组多个芯片的接触垫，并在所述塑模上延伸；(c)形成第二重构晶片，该晶片包括通过填充了塑模的第二间隙进行水平分隔的第二组多个芯片，其中，所述第二组多个芯片的接触垫设置在与所述第二重构晶片的背侧相对的工作表面中；(d)沿所述第二间隙切割所述第二重构晶片，以形成各个嵌入式芯片，这些芯片具有与所述第二重构晶片的工作表面成大于90度夹角的倾斜侧壁；(e)将所述嵌入式芯片的背侧设置在所述第一重构晶片的工作表面与所述第一再分配层上；(f)在所述嵌入式芯片的工作表面和倾斜侧壁上形成第二再分配层，所述第二再分配层连接了所述第二组多个芯片的接触垫和所述第一再分配层。
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