[发明专利]三族氮化物垂直柱阵列衬底有效
| 申请号： | 200610093762.6 | 申请日： | 2006-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101093867A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 赖志铭;刘文岳;蔡政达;许荣宗;果尚志;沈昌宏;林弘伟 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种三族氮化物垂直柱阵列衬底，此三族氮化物垂直柱阵列衬底包括：衬底、缓冲层与垂直柱阵列层。其中，缓冲层位于衬底上方，且垂直柱阵列层位于缓冲层上，而垂直柱阵列层是由多个立于缓冲层上的垂直柱组成。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 垂直 阵列 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种三族氮化物垂直柱阵列衬底，包括：衬底；缓冲层，位于该衬底上方；以及垂直柱阵列层，位于该缓冲层上，其中该垂直柱阵列层是由多个立于该缓冲层上的垂直柱组成。
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