[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610094071.8 | 申请日： | 2006-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101017804A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 爱场喜孝 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/50;H01L23/522;H01L21/28;H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有高性能和高可靠性的半导体器件及其有效制造方法，该半导体器件中抑制了在焊盘部分处由于树脂膜脱落而引起的互连层脱落，从而避免了电击穿。该半导体器件包括半导体衬底(例如，硅晶片(10))；绝缘膜(12)，形成在半导体衬底(10)上；导电层(20)，形成在绝缘膜(12)上，导电层(20)由互连部分(22)和将互连部分(22)连接到外部端子(40)的焊盘部分(24)形成；以及树脂膜(30)，覆盖导电层(20)；其中，树脂膜(30)通过贯穿导电层(20)而在焊盘部分24的至少一部分处与绝缘膜(12)接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：半导体衬底；绝缘膜，形成在该半导体衬底上；导电层，形成在该绝缘膜上，该导电层由互连部分和将该互连部分连接到外部端子的焊盘部分形成；以及树脂膜，覆盖该导电层，其中，该树脂膜通过贯穿该导电层而在该焊盘部分的至少一部分处与该绝缘膜接触。
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