[发明专利]抗蚀覆盖膜形成材料、形成抗蚀图的方法、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610094195.6 | 申请日： | 2006-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101021682A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 野崎耕司;小泽美和 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;G03F7/26;H01L21/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种抗蚀覆盖膜形成材料，其可适用于液浸曝光用的抗蚀覆盖膜，并可以透射ArF受激准分子激光，并且提供使用抗蚀覆盖膜形成材料来形成抗蚀图的方法。该抗蚀覆盖膜形成材料包含在任一主链和侧链上具有脂环骨架的树脂；它是非光敏的，并且用于形成在液浸曝光时覆盖抗蚀膜的抗蚀覆盖膜。形成抗蚀图的方法包括在要处理的工件表面上形成抗蚀膜，用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料在抗蚀膜上形成抗蚀覆盖膜，使用来曝光的光透过抗蚀覆盖膜照射抗蚀膜进行液浸曝光，并使抗蚀膜显影。 | ||
| 搜索关键词： | 覆盖 形成 材料 抗蚀图 方法 半导体器件 及其 制造 | ||
【主权项】：
1.一种抗蚀覆盖膜形成材料，其包含：在任一主链和侧链上具有脂环骨架的树脂，其中抗蚀覆盖膜形成材料本身是非光敏性的，其用于形成在抗蚀膜经受液浸曝光时用于覆盖抗蚀膜的抗蚀覆盖膜。
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