[发明专利]蚀刻高k电解质材料的方法无效
| 申请号： | 200610098882.5 | 申请日： | 2006-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN101110360A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 金光祥;沈梅华 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用含卤气体和还原气体化学品对高介电常数(高k)材料进行蚀刻的装置和方法。本方法的一种实施方式是通过用两种蚀刻气体化学品在独立的步骤中对层进行蚀刻来完成的。第一蚀刻气体化学品包含不含氧的气体以对高介电常数材料进行穿透蚀刻，从而清除从前面的多晶硅蚀刻工艺留下任何残余物以减轻高k脚效应，并且还使与下方的硅氧化物层相关的硅凹陷问题得到控制。第二过度蚀刻气体化学品提供了高介电常数材料相对硅氧化物材料的高蚀刻选择性，其与低源功率相结合而进一步减轻硅衬底氧化的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 电解质 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻具有含高k材料的层的衬底的方法，所述方法包括：使所述层暴露于由包括第一含卤气体而不向蚀刻室内引入含氧气体的第一处理气体混合物形成的等离子体中；在第一蚀刻步骤中蚀刻所述层的至少一部分；和在第二蚀刻步骤中用由包括第二含卤气体和一氧化碳的第二处理气体混合物形成的等离子体来蚀刻所述层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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