[发明专利]晶圆切割方法无效
| 申请号： | 200610099422.4 | 申请日： | 2006-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101110390A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 刘光华;罗宇城;李怀安;陈昆泓;黄莉贞;刘胜发;王君铭 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种晶圆切割方法，首先提供一晶圆，而晶圆具有多个主动组件数组单元以及一第一对位记号。之后，接合一透明基板于晶圆上，而透明基板具有一边缘区域，且边缘区域凸出于晶圆之外。接着，形成一第二对位记号于边缘区域上。再来，以第一对位记号作为参考标记，对透明基板进行切割，并接着以第二对位记号作为参考标记，对晶圆进行切割。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆切割方法，包括：提供一晶圆，该晶圆具有多个主动组件数组单元以及一第一对位记号；接合一透明基板于该晶圆上，其中该透明基板具有一边缘区域，而该边缘区域是凸出于该晶圆之外；形成一第二对位记号于该边缘区域上；以该第一对位记号作为参考标记，对该透明基板进行切割；以及以该第二对位记号作为参考标记，对该晶圆进行切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
