[发明专利]抛光浆料及其制备方法和基板的抛光方法有效
| 申请号： | 200610099589.0 | 申请日： | 2005-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1944496A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 金大亨;洪锡敏;全宰贤;金晧性;朴炫洙;白雲揆;朴在勤;金容国 | 申请（专利权）人： | K.C.科技股份有限公司;汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号： | C08J3/14 | 分类号： | C08J3/14;C09G1/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 韩国京畿道安*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明是关于一种抛光浆料及其制备方法和基板的抛光方法。本文描述的是一种化学机械抛光浆料。此种抛光浆料中的抛光粒子，其粒度分布曲线具有分别独立的小颗粒区与大颗粒区，且其粒度均值为50－150nm。本发明所述的抛光浆料具有优化的粒度，其粒度可以通过改变生产条件控制，这对抛光具有精细设计要求的半导体非常有用。本发明还提出了一种抛光浆料及其制备方法，采用这种抛光浆料时，可以通过控制其抛光粒子粒度分布曲线来保证化学机械抛光的精度和减少表面划痕数量。本发明还提供了一种抛光基板的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 浆料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用固体生成的方法生成的抛光浆料，包括二氧化铈抛光粒子，其特征在于其包括：抛光粒子，其粒度均值为50-150nm，其中抛光粒子包括初级粒子的均值粒度为10-120nm，初级粒子包括颗粒的均值粒度为10-100nm。
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