[发明专利]动能扰动的显影工艺无效
| 申请号： | 200610100627.X | 申请日： | 2006-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101097408A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 许中荣 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30;G03F7/26;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种动能扰动的显影工艺。首先提供一半导体基底，且该半导体基底上具有一已曝光的光致抗蚀剂材料。然后覆盖一显影剂于该光致抗蚀剂材料表面，并进行一第一静止扰动步骤，使该半导体基底于一第一时间间隔内维持一静止状态。接着进行一旋转扰动步骤，使该半导体基底具有一第一转速，然后进行一第二静止扰动步骤，使该半导体基底于一第二时间间隔内维持一静止状态。随后进行一清洗步骤，以清洗该半导体基底并于该光致抗蚀剂材料表面移除该显影剂。 | ||
| 搜索关键词： | 动能 扰动 显影 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种动能扰动的显影工艺，包括下列步骤：(a)提供半导体基底，该半导体基底上具有已曝光的光致抗蚀剂材料；(b)覆盖显影剂于该光致抗蚀剂材料表面；(c)进行第一静止扰动步骤，使该半导体基底于第一时间间隔内维持静止状态；(d)进行旋转扰动步骤，使该半导体基底具有第一转速；(e)进行第二静止扰动步骤，使该半导体基底于第二时间间隔内维持静止状态；以及(f)进行清洗步骤，以清洗该半导体基底并于该光致抗蚀剂材料表面移除该显影剂。
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