[发明专利]生长碳纳米管的方法和制造场致发射器件的方法无效
| 申请号： | 200610101172.3 | 申请日： | 2006-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN1982210A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 金夏辰;韩仁泽 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00;H01J9/02;H01J1/304 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了生长碳纳米管和采用所述碳纳米管制造场致发射器件的方法。所述的生长碳纳米管的方法包括：制备衬底；在所述衬底上形成催化剂金属层，以促进碳纳米管的生长；形成局部覆盖所述催化剂金属层的无定形碳层；以及从未被无定形碳层覆盖的催化剂金属层的表面生长碳纳米管。在所述的生长碳纳米管的方法中，以适于场致发射器件的发射器的密度，在低温下，以低成本生长碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 纳米 方法 制造 发射 器件 | ||
【主权项】：
1.一种生长碳纳米管的方法，其包括：制备衬底；在所述衬底上形成催化剂金属层，以促进所述碳纳米管的生长；形成局部覆盖所述催化剂金属层的无定形碳层；以及从未被所述无定形碳层覆盖的所述催化剂金属层的表面生长所述碳纳米管。
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