[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件的制造方法。是先于一基底上依序形成栅介电层、多晶硅层与一图案化顶盖层，再以图案化顶盖层为掩模，图案化多晶硅层以形成一多晶硅栅极。接着，于多晶硅栅极两侧的基底中形成数个LDD区并使LDD区之间的基底成为一沟道区。然后，于多晶硅栅极的侧壁上形成间隙壁，再于间隙壁的外侧基底中形成一源极与漏极。之后陆续去除顶盖层及间隙壁。尔后再进行金属硅化工艺，将多晶硅栅极完全转变为硅化金属栅极，同时于源极与漏极表面形成一硅化金属层。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法，包括：于基底上依序形成栅介电层、多晶硅层与图案化顶盖层；以该图案化顶盖层为掩模，图案化该多晶硅层，以形成多晶硅栅极；于该多晶硅栅极两侧的该基底中形成多个LDD区，并使该些LDD区之间的该基底成为沟道区；于该多晶硅栅极的侧壁上形成间隙壁；于该间隙壁外侧的该基底中形成源极与漏极；去除该顶盖层；去除该间隙壁；以及进行金属硅化工艺，使该多晶硅栅极层完全转变为硅化金属栅极，同时于该源极与该漏极的表面形成硅化金属层。