[发明专利]光掩模与曝光方法无效
| 申请号： | 200610103090.2 | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101105624A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 黄启清 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F7/20;G03F7/004 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种适用于光刻工艺的光掩模，光掩模至少包括基板、至少一个图案区与多个对准标记。其中，图案区位于基板上，且至少其中的一个图案区的图案区中心不与基板的基板中心重叠。对准标记位于每一个图案区的周围的基板上，且其中至少四个对准标记包围一个图案区。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 曝光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光掩模，适用于光刻工艺，该光掩模包括：基板；至少一图案区，位于该基板上，至少该些图案区其中之一的一图案区中心不与该基板的基板中心重叠；以及多个对准标记，位于每一该些图案区的周围的该基板上，其中至少四个对准标记包围每一该些图案区。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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