[发明专利]制造二极管金属层的方法无效
| 申请号： | 200610103141.1 | 申请日： | 2006-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101101871A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 陈俊彬 | 申请（专利权）人： | 永贺工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L21/3205;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 台湾省台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造二极管金属层的方法，先于一欲形成金属层的二极管晶圆或芯片区域，形成一可作为无电解电镀置换或还原金属湿式制程的金属、金属氧化物或合金底材，然后通过不含氰化物的无电解电镀的置换或还原反应，而使一特定金属沉积于金属底材上，以产生所需厚度的金属层，使得通过该方法所制得的二极管金属层，可大幅降低生产成本，并提升产品品质的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 二极管 金属 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造二极管金属层的方法，其特征在于，该方法先于一欲形成金属层的二极管晶圆或芯片区域，形成一可作为无电解电镀置换或还原金属湿式制程的金属、金属氧化物或合金底材，然后通过不含氰化物的无电解电镀的置换或还原反应，而使一特定金属沉积于金属底材上，以产生所需厚度的金属层，且该金属层的材质可为金、银、铜、铂、钯、镍、锌、铬或IIIA族金属、IVA族金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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