[发明专利]单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法无效
| 申请号： | 200610105562.8 | 申请日： | 2002-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101063225A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 元木健作;冈久拓司;中畑成二;弘田龙;上松康二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/38;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基板 及其 生长 方法 制造 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓结晶，其特征在于：在由GaN、蓝宝石、SiC、尖晶石、GaAs、Si的任一种材料构成的衬底基板上，配置有非晶质或多晶的薄膜，在薄膜上具有由氮化镓的封闭缺陷集合区H，在该区域以外的区域具有：单晶低变位伴随区Z，以及单晶低变位剩余区Y——存在于单晶低变位伴随区Z的外部、具有同一晶体取向。
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