[发明专利]用于激光和受激拉曼频移的钼酸盐晶体及其制备和用途无效
申请号: | 200610107971.1 | 申请日: | 2006-07-25 |
公开(公告)号: | CN101114103A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | 朱浩淼;黄艺东;林炎富;龚兴红;陈雨金;谭奇光;罗遵度 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | G02F1/355 | 分类号: | G02F1/355 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 350002福建省福州市杨桥*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 用于激光和受激拉曼频移的钼酸盐晶体及其制备方法和用途,涉及光电子晶体材料领域。分子式为Li2M4(1-x)R4x(MoO4)7其中M3+为稀土或三价过渡金属离子,R3+为根据泵浦源、激光腔和应用需要等因素确定的部分替代晶体基质中M3+离子位置的某种稀土或过渡金属离子。该类激光晶体物化性能稳定,在空气中不潮解,制备成本较低。能够实现连续,可调谐以及超短脉冲激光输出,还具有将单一波长入射激光转变成一系列间隔为声子频率的激光输出的受激拉曼频移效应。 | ||
搜索关键词: | 用于 激光 受激拉曼频移 钼酸 晶体 及其 制备 用途 | ||
【主权项】:
1.一种用于激光和受激拉曼频移的钼酸盐晶体,其特征在于:分子式为Li2M4(1-x)R4x(MoO4)7,其中M3+为稀土或三价过渡金属离子,即为Ti、Cr、Y、Sc、以及镧系元素中某一元素,R3+为Ti、Cr、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb。
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