[发明专利]动态随机存取存储器的电容器接点结构及工艺

摘要

一种动态随机存取存储器的电容器接点结构及工艺，此工艺是先提供基底，基底中形成有多个沟渠，各沟渠两侧壁已形成有一介电层，且这些沟渠中包括一第一沟渠。然后，于基底与沟渠的表面上形成一导体层，再于导体层上形成一层图案化光致抗蚀剂层，图案化光致抗蚀剂层填入上述沟渠，并覆盖住第一沟渠。接着，移除暴露出的导体层，而形成多个下电极，然后再移除图案化光致抗蚀剂层。于各下电极上形成一电容介电层，再于基底上形成多个上电极，其填满上述各沟渠。继而，于第一沟渠中的下电极上形成一接触窗，此接触窗藉由下电极而电性连接基底。

主权项

1.一种动态随机存取存储器工艺，包括：提供基底，该基底中形成有多个沟渠，该些沟渠中包括第一沟渠，且各该沟渠的侧壁已形成有介电层；于该基底与该些沟渠的表面上形成导体层；于该导体层上形成图案化光致抗蚀剂层，该图案化光致抗蚀剂层填入该些沟渠，并覆盖住该第一沟渠；移除暴露出的该导体层，而形成多个下电极；移除该图案化光致抗蚀剂层；于各该下电极上形成电容介电层；于该基底上形成多个上电极，其填满该些沟渠；以及于该第一沟渠中的该下电极上形成接触窗，该接触窗藉由该第一沟渠中的该下电极以电性连接该基底。