[发明专利]隔离结构的制造方法无效
| 申请号： | 200610108415.6 | 申请日： | 2006-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101118868A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 魏鸿基;毕嘉慧 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种隔离结构的制造方法。首先，提供基底并图案化基底，以在基底中形成第一沟槽和第二沟槽。其中第一沟槽的宽度小于第二沟槽的宽度。之后，在基底上形成共形的绝缘层。接着，移除部分绝缘层，使残余的绝缘层填满第一沟槽，并在第二沟槽的侧壁上形成数个间隙壁。移除这些间隙壁之间的第二沟槽底部的部分基底，以使第二沟槽的深度大于第一沟槽的深度。然后，在第一沟槽和第二沟槽中形成介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种隔离结构的制造方法，包括：提供基底；图案化该基底，以形成多个第一沟槽和多个第二沟槽，其中该第一沟槽的宽度小于该第二沟槽的宽度；在基底上形成共形的绝缘层；移除部分该绝缘层，使残余的该绝缘层填满该第一沟槽，并在第二沟槽的侧壁上形成多个间隙壁；移除该间隙壁之间的该第二沟槽底部的部分该基底，使该第二沟槽的深度大于该第一沟槽的深度；并且在该第一沟槽和该第二沟槽中形成介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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