[发明专利]用于化学机械研磨装置的操作参数自动反馈方法及其控制系统无效
| 申请号： | 200610108417.5 | 申请日： | 2006-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101116955A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 庄志豪;曾圣桓;庄千莹 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B49/10 | 分类号： | B24B49/10;G05B19/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种使用于化学机械研磨(CMP)装置的操作参数(recipe)自动反馈方法，其步骤包括：(1)将CMP装置中相关消耗性零件生命周期(consumable parts lifetime)下载(download)至数据库中，数据库包括第一参照表和第二参照表；(2)利用数据库中的第一参照表，查出在CMP装置中相关消耗性零件生命周期所对应的晶片厚度轮廓(thickness profile)值；(3)利用晶片厚度轮廓值和数据库中的第二参照表，查出最佳的CMP装置的操作参数；并且(4)将最佳操作参数上传(upload)至CMP装置中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 化学 机械 研磨 装置 操作 参数 自动 反馈 方法 及其 控制系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于化学机械研磨装置的操作参数自动反馈方法，其步骤包括：(1)将该化学机械研磨装置中相关消耗性零件生命周期下载至数据库中，该数据库包括第一参照表和第二参照表；(2)利用该数据库中的该第一参照表，查出在该化学机械研磨装置中该相关消耗性零件生命周期所对应的晶片厚度轮廓值；(3)利用该晶片厚度轮廓值和该数据库中的该第二参照表，查出最佳的化学机械研磨装置的操作参数；以及(4)将该最佳操作参数上传至该化学机械研磨装置中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力晶半导体股份有限公司，未经力晶半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610108417.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种LED封装方法
- 下一篇：一种逻辑控制节流方式的定速热泵机组及其控制方法
