[发明专利]形成焊接凸块的方法有效
申请号: | 200610108554.9 | 申请日: | 2006-07-21 |
公开(公告)号: | CN101110377A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 黄敏龙;吴宗桦 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/28;H01L23/485 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种形成焊接凸块的方法。首先,提供一个基底,且该基底表面形成有一个凸块下金属层。接着在该凸块下金属层表面形成一个图案化光阻层,且该图案化光阻层包含有至少一个开口,用以暴露部分该凸块下金属层。之后在该开口内的部分该凸块下金属层表面形成一个底镀层,并在该开口中填入焊料。然后进行光阻剥离步骤,以移除该图案化光阻层,并进行蚀刻制程步骤,利用该焊料当作屏蔽以蚀刻部分该底镀层与部分该凸块下金属层,接着进行回焊制程以形成该焊接凸块。 | ||
搜索关键词: | 形成 焊接 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成焊接凸块的方法,该方法包含有如下步骤:提供一基底,且该基底表面形成有一凸块下金属层的步骤;在该凸块下金属层表面形成一个图案化光阻层,且该图案化光阻层包含有至少一开口,用以暴露部分该凸块下金属层的步骤;在该开口中填入焊料的步骤;进行光阻剥离,以移除该图案化光阻层的步骤;进行蚀刻制程步骤,利用该焊料当作屏蔽以蚀刻部分该凸块下金属层的步骤;以及进行回焊制程以形成该焊接凸块的步骤:其特征在于:其还包括在开口中填入焊料之前在该开口内的部分凸块下金属层表面形成一个底镀层的步骤,在进行蚀刻制程步骤中还包括利用该焊料当作屏蔽蚀刻部分该底镀层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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