[发明专利]像素结构及其制造方法

摘要

一种像素结构的制造方法。在一基板上依序形成一金属层、一栅极绝缘层与一半导体材料层。提供具有一不透光区与一部分透光区的一光罩，并利用此光罩在半导体材料层上形成一图案化光阻层。以图案化光阻层为遮罩移除部分金属层、部分栅极绝缘层与部分半导体材料层，以形成一栅极、一下电极、一图案化栅极绝缘层与一半导体层。移除部分图案化光阻层，以暴露出下电极上方的半导体层。以图案化光阻层为遮罩移除下电极上方的图案化栅极绝缘层与半导体层。移除图案化光阻层。在半导体层上形成一源极与一漏极。在基板上依序形成一图案化保护层与一像素电极。

主权项

1.一种像素结构的制造方法，包括：在一基板上依序形成一第一金属层、一栅极绝缘层与一半导体材料层；提供一光罩，该光罩具有一不透光区与一部分透光区，并利用该光罩在该半导体材料层上形成一图案化光阻层；以该图案化光阻层为遮罩移除部份该第一金属层、部份该栅极绝缘层与部份该半导体材料层，以形成一栅极、一下电极、一图案化栅极绝缘层与一半导体层；移除部分该图案化光阻层，以暴露出该下电极上方的该半导体层；以该图案化光阻层为遮罩移除该下电极上方的该图案化栅极绝缘层与该半导体层；移除该图案化光阻层；在该半导体层上形成一源极与一漏极；在该基板上形成一图案化保护层，其中该图案化保护层具有一接触窗，暴露出部分该漏极；以及在该图案化保护层上形成一像素电极，其中该像素电极经由该接触窗与该漏极电性连接，且该像素电极与该下电极耦合成一储存电容。