[发明专利]具有内置热沉的半导体器件无效
| 申请号： | 200610109096.0 | 申请日： | 2006-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101118895A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 高伟 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件的单厚度引线框架，包括由引线接头包围的位于中央的芯片焊盘，和被粘接在芯片焊盘上表面的热沉。所述芯片焊盘和引线接头具有相同的厚度。半导体集成电路粘接于散热器上。在封装之后，散热器和引线接头的下表面被暴露在外。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 内置 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体器件的单厚度引线框架，该引线框架包括：位于中央的芯片焊盘，具有第一厚度；多个包围上述芯片焊盘的引线接头，所述引线接头具有和所述第一厚度相等的厚度；散热器，具有第二厚度；其中，所述散热器的第一表面粘接在所述芯片焊盘的第一表面上；所述半导体集成电路粘接在所述散热器的第二表面上。
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