[发明专利]具有高性能及高密度设计的布局架构有效
申请号: | 200610109340.3 | 申请日: | 2006-08-10 |
公开(公告)号: | CN101123250A | 公开(公告)日: | 2008-02-13 |
发明(设计)人: | 蔡裕文;吴政晃 | 申请(专利权)人: | 智原科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/522 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种具有高性能及高密度设计的布局架构,用于一标准单元集成电路。此布局架构包括基板、第一导体、第二导体、第三导体、第四导体、第一元件区、第二元件区、第三元件区、第四元件区。第一元件区配置于基底并邻近第一导体。第二元件区配置于基底并邻近该第一元件区,且位于第二导体下方。第三元件区配置于基底并邻近第二元件区,且位于第三导体下方。第四元件区配置于基底并位于第三元件区与第四导体之间。 | ||
搜索关键词: | 具有 性能 高密度 设计 布局 架构 | ||
【主权项】:
1.一种标准单元的布局架构,用于一集成电路,其特征在于其包括:一基底;一第一导体,配置于该基底上,用以传输第一电压;一第二导体,配置于该基底上,用以传输第二电压;一第三导体,配置于该基底上,用以传输第三电压;一第四导体,配置于该基底上,用以传输第四电压;一第一元件区,配置于该基底并邻近该第一导体;一第二元件区,配置于该基底并邻近该第一元件区,且位于该第二导体下方;一第三元件区,配置于该基底并邻近该第二元件区,且位于该第三导体下方;以及一第四元件区,配置于该基底并位于该第三元件区与该第四导体之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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