[发明专利]具有低栅极电阻和缩小源极接触空间的高密度沟槽MOSFET无效
| 申请号： | 200610109651.X | 申请日： | 2006-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN1917233A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 谢福渊 | 申请（专利权）人： | 谢福渊 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人： | 孙刚;赵海生 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一个沟槽金属氧化物半导体厂效应晶体管(MOSFET)器件，它包含穿过氧化物绝缘层进入栅极多晶硅和基体－源极硅区域开出的一些栅极接触沟槽和源极接触沟槽。这些栅极接触沟槽和源极接触沟槽被填充以栅极接触塞和源极接触塞，以电接触栅极多晶硅和源极－基体区域，这样，栅极电阻得以减小，而且可以实现更小的源极接触面积。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 电阻 缩小 接触 空间 高密度 沟槽 mosfet | ||
【主权项】：
1.一个沟槽金属氧化物半导体厂效应晶体管(MOSFET)器件包含一个被源极区域围绕着的沟槽栅极，而该源极区域又包含在一个安置于衬底底表面上的漏极区域上面的基体区域之中，其中，所述MOSFET单元进一步包含：至少两个穿过一个覆盖着所述MOSFET器件的绝缘层开的接触沟槽，其中所述的这些接触沟槽伸延进入所述沟槽栅极和所述基体区域并填充以一个栅极接触塞和一个源极接触塞，以分别电接触到安置在所述绝缘层顶部的一个栅极金属和一个源极金属。
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