[发明专利]钝化层结构、薄膜晶体管器件及钝化层制造方法有效
| 申请号： | 200610109865.7 | 申请日： | 2006-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101127357A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 龙春平 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/532;H01L21/84;H01L21/768;H01L21/31;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钝化层结构，其中该钝化层由底层绝缘薄膜和顶层钝化薄膜组成，顶层钝化薄膜覆盖底层绝缘薄膜。所述钝化层的底层绝缘薄膜由氮氧化硅组成。所述钝化层的顶层钝化薄膜由四氮化三硅组成。所述底层绝缘薄膜厚度较顶层钝化薄膜的厚度厚。所述底层绝缘薄膜和顶层钝化薄膜相同位置形成有过孔，底层绝缘薄膜过孔尺寸大于顶层钝化薄膜过孔尺寸，顶层钝化薄膜在过孔的侧面完全覆盖底层绝缘薄膜。本发明同时还公开了采用上述钝化层结构的薄膜晶体管器件及钝化层制造方法。本发明相对于现有技术优化了薄膜晶体管及其它显示器件钝化层的制造工艺，提升了产品的良率，从而有效的控制成本上升。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 结构 薄膜晶体管 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钝化层结构，其特征在于：该钝化层由底层绝缘薄膜和顶层钝化薄膜组成，顶层钝化薄膜覆盖底层绝缘薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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