[发明专利]内存结构的制备方法

摘要

一种内存结构的制备方法首先形成多个条状区块于基板的介电结构上，再形成局部暴露该条状区块侧壁的第一蚀刻屏蔽。其次，利用该第一蚀刻屏蔽局部去除该条状区块以缩减其宽度而形成第二蚀刻屏蔽，其包含多个以错开方式排列的第一区块及第二区块。之后，局部去除未被该第二蚀刻屏蔽覆盖的介电结构以形成多个开口于该介电结构中，再形成导电插塞于该开口中。该多个开口包含多个设置于该第一区块间的第一开口以及多个设置于该第二区块间的第二开口，且该第一开口与该第二开口分别凸出主动区域的相反两侧。

主权项

1.一种内存结构的制备方法，其特征是包含下列步骤：形成多个条状区块于基板上，该基板包含介电结构；形成局部暴露该条状区块的第一蚀刻屏蔽；利用该第一蚀刻屏蔽，局部去除该条状区块以形成第二蚀刻屏蔽；局部去除未被该第二蚀刻屏蔽覆盖的介电结构以形成多个开口于该介电结构中；以及形成导电插塞于该开口中。