[发明专利]含金属化合物颗粒的介电块材及其形成方法有效
| 申请号： | 200610110110.9 | 申请日： | 2006-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101123189A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 林哲歆;曾培哲;麦凯 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种含金属化合物颗粒的介电块材的形成方法，此方法是先在基底上形成堆栈层，此堆栈层包括金属氮化物层以及能隙层，然后，进行一处理步骤，例如氧化回火步骤，使金属氮化物层形变成多个散布于能隙层中的金属化合物结晶颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 化合物 颗粒 介电块材 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含金属化合物颗粒的介电块材的形成方法，包括：在基底上形成堆栈层，该堆栈层包括金属氮化物层以及能隙层；以及进行处理步骤，使该金属氮化物层形变成多个金属化合物结晶颗粒，散布于该能隙层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
