[发明专利]清除残余金属的方法有效
| 申请号： | 200610110717.7 | 申请日： | 2006-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101123190A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 张俊杰;洪宗佑;谢朝景;陈意维;张毓蓝 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种清除残余金属的方法，此残余金属位于硅晶片基底的过渡金属硅化物上。为清除此残余金属，首先，对过渡金属硅化物作表面氧化处理，使得过渡金属硅化物上方形成保护层后，再利用氯化氢和过氧化氢混合物(HPM)清洗步骤清洗硅晶片基底，以清除残余金属。 | ||
| 搜索关键词： | 清除 残余 金属 方法 | ||
【主权项】：
1.一种清除残余金属的方法，包括：提供基底，该基底上方具有至少一处过渡金属硅化物，且该过渡金属硅化物上方又具有该残余金属；利用过氧化氢溶液对该过渡金属硅化物作表面氧化处理，该过氧化氢溶液与该过渡金属硅化物反应，并形成保护层在该过渡金属硅化物上方；并且利用氯化氢和过氧化氢混合物清洗步骤清洗该基底，以清除该残余金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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