[发明专利]双镶嵌结构的制作方法

摘要

一种双镶嵌结构的制作方法，应用于一半导体晶片，该半导体晶片包括一基底、一导线层、一具有一介层开口的介电层、一定义有一沟槽图案的硬屏蔽层以及一牺牲层，方法中藉由在同一蚀刻反应室内依序进行第一、第二、第三以及第四蚀刻工艺，以形成一沟槽并使该介层开口曝露该导电层，因此达到有效缩短工艺时间和提高生产效率的目的。

主权项

1.一种双镶嵌结构的制作方法，应用于半导体晶片，该半导体晶片依序包括基底、导电层、具有介层开口的介电层、定义有沟槽图案的硬屏蔽层，以及牺牲层覆盖该硬屏蔽层与该介电层并填满该介层开口，该双镶嵌结构的制作方法在同一蚀刻反应室内进行至少以下二个连续步骤：进行第一蚀刻工艺，通入以氧气为主的等离子体气体，蚀刻部分该牺牲层，以曝露出该硬屏蔽层、该介电层以及部分的该介层开口；进行第二蚀刻工艺，通入以四氟化碳为主的等离子体气体，蚀刻部分该介层开口以扩大形成沟槽；以及进行第三蚀刻工艺，通入以氧气为主的等离子体气体以去除该牺牲层，使该介层开口曝露该导电层。