[发明专利]一种InGaP/AlGaInP晶体材料的腐蚀液无效
| 申请号： | 200610111351.5 | 申请日： | 2006-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN1916240A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 张晶;高欣;李辉;曲轶;刘国军;薄报学 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | C23F1/30 | 分类号： | C23F1/30;C09K13/04;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 | 代理人： | 曲博 |
| 地址： | 130022吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种InGaP/AlGaInP晶体材料的腐蚀液，属于半导体器件制造技术领域。现有的HCl系列腐蚀液腐蚀速率及腐蚀表面的粗糙度不能满足制作半导体器件的要求，而H2SO4系列腐蚀液在腐蚀过程中损伤掩模光刻胶。本发明之腐蚀液的组分及体积配比为HCl∶C2H6O2＝0.5～4.0∶1，其中，HCl的浓度为重量含量37％，C2H6O2的浓度为重量含量99.8％。应用于半导体器件制作过程中对n型、p型以及本征InGaP/AlGaInP晶体材料的腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ingap algainp 晶体 材料 腐蚀 | ||
【主权项】：
1、一种InGaP/AlGaInP晶体材料的腐蚀液，含有HCl，其特征在于，腐蚀液的组分及体积配比为HCl∶C2H6O2＝0.5～4.0∶1，其中，HCl的浓度为重量含量37％，C2H6O2的浓度为重量含量99.8％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春理工大学，未经长春理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610111351.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电视接收机和数字广播系统
- 下一篇：流感免疫原和疫苗
