[发明专利]侧射型发光二极管的封装结构无效
| 申请号： | 200610111573.7 | 申请日： | 2006-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101132036A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 林治民;庄世任;叶寅夫 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 中国台湾台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种侧射型发光二极管的封装结构。此侧射型发光二极管封装结构包含基座、二电极、发光二极管芯片以及封装材料。其中，基座具有一凹陷部。二电极系设置于凹陷部的底面。发光二极管芯片是设置于凹陷部的底面并与二电极电性连接。其中，发光二极管芯片之基板的厚度为大于140微米以上。上述封装材料是填入凹陷部内，以封装发光二极管芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 侧射型 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种侧射型发光二极管封装结构，其特征在于，其包含：一基座，具有一凹陷部；二电极，设置于该凹陷部之底部中；一发光二极管芯片，设置于该凹陷部之底部上并与该些电极二电极电性连接，该发光二极管芯片之一基板的厚度系大于140微米以上；以及一封装材料，填入该凹陷部内，以封装该发光二极管芯片。
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