[发明专利]半导体组件保护结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200610111709.4 | 申请日： | 2006-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101131967A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 杨文焜;林志伟;张瑞贤 | 申请（专利权）人： | 育霈科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/488;H01L23/498;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 何文彬 |
| 地址： | 台湾省新竹县湖*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明半导体组件保护结构及其制造方法属于半导体封装结构领域，包括芯片、基板、保护薄膜、焊锡球及电性接触片。所述芯片，在其上表面具有复数个电性接触片于该芯片的上表面之上；复数个导电球，连接至该电性接触片；所述基板，附着至该芯片下表面之上；还包括一缓冲层，形成于该基板之上，并且邻接该芯片；以及第二缓冲层，其中该基板是结合于该第二缓冲层之上，使得该第二缓冲层包围整个基板，藉以降低当该基板的侧边受到一外力时对该基板的损害。该半导体组件保护结构可使半导体芯片及基板侧部与外界物体发生碰撞时，不会使元器件损坏碎裂，增加了半导体器件的使用寿命可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 保护 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体组件保护结构，主要包括芯片、基板、保护薄膜、焊锡球及电性接触片，其特征在于，所述芯片，在其上表面具有复数个电性接触片；复数个导电球，连接至该电性接触片；所述基板，附着至该芯片下表面之上；还包括一缓冲层，形成于该基板之上，并且邻接该芯片；以及第二缓冲层，其中该基板是结合于该第二缓冲层之上，使得该第二缓冲层包围整个基板，藉以降低当该基板的侧边受到一外力时对该基板的损害。
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