[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610111749.9 | 申请日： | 2006-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101064296A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 曹荣志;陈科维;张世杰;林俞谷;王英郎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一基底；一介电层，形成于该基底上；一开口，形成于该介电层中；一第一阻障层，覆盖于该开口的侧壁；一第二阻障层，覆盖于该第一阻障层上与该开口的底部；以及一导电层，填入该开口。本发明所述的半导体装置及其制造方法，提供一包含多重沉积与再溅镀步骤的制程以及极佳的再溅镀/沉积比例，使获得的金属阻障层的厚度极薄，而能有效降低内连线结构的阻值，例如能有效降低接触区与镶嵌导线间的阻值。此外，于沟槽角落的阻障层厚度亦可被控制，以避免再溅镀后产生的微沟槽现象，增加了元件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包括：一基底；一介电层，覆盖于该基底上，其中于该介电层中形成有一开口；一第一阻障层，覆盖于该开口的侧壁；一第二阻障层，覆盖于该第一阻障层上与该开口的底部；以及一导电层，填入该开口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610111749.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
