[发明专利]一种SOI基顶栅单电子晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 200610112107.0 | 申请日： | 2006-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN101123274A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;陈杰智;刘明;陈宝钦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘体上硅SOI基顶栅单电子晶体管，该单电子晶体管包括：库仑岛、位于库仑岛两侧的源和漏、连接库仑岛与源和漏的两个隧道结、位于库仑岛上面的栅介质和多晶硅栅、源上沉积的源电极、漏上沉积的漏电极、以及顶栅上沉积的顶栅栅电极。本发明同时公开了一种SOI基顶栅单电子晶体管的制备方法。利用本发明，大大提高了单电子晶体管的可靠性及与传统CMOS工艺的兼容性，简化了制备工艺、降低了制备成本，并提高了制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 基顶栅单 电子 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘体上硅SOI基顶栅单电子晶体管，其特征在于，该单电子晶体管包括：库仑岛、位于库仑岛两侧的源和漏、连接库仑岛与源的隧道结、连接库仑岛与漏的隧道结、位于库仑岛上面的栅介质和多晶硅栅、源上沉积的源电极、漏上沉积的漏电极、以及顶栅上沉积的顶栅栅电极。
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