[发明专利]三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器无效
| 申请号： | 200610112700.5 | 申请日： | 2006-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101135748A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 陈弘达;黄北举;刘金彬;顾明;刘海军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02F1/025 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，包括一衬底；一二氧化硅掩埋层位于衬底上；一n型单晶硅层为衬底上的单晶硅，制作成凹槽结构；一n+注入层制作在n型单晶硅层两侧的平面上；一横向栅氧化层和一纵向栅氧化层，制作在n型单晶硅层上的凹槽内壁面；一p型单晶硅层制作在n型单晶硅层的凹槽结构内，该p型单晶硅层和n型单晶硅层一起形成脊形波导结构；一p+注入层制作在p型单晶硅层的上面；金属接触层制作在p+注入层上面的中间位置及n+注入层上面的中间位置，分别形成调制器的正负电极；一氧化层制作在n型单晶硅层和p型单晶硅层的表面，起到保护作用。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 mos 高速 调制 效率 电光 调制器 | ||
【主权项】：
1.一种三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，其特征在于，包括：一衬底；一二氧化硅掩埋层，该二氧化硅掩埋层位于衬底上；一n型单晶硅层，该n型单晶硅层为衬底上的单晶硅，制作成凹槽结构；一n+注入层，该n+注入层制作在n型单晶硅层两侧的平面上；一横向栅氧化层和一纵向栅氧化层，制作在n型单晶硅层上的凹槽内壁面；一p型单晶硅层，该p型单晶硅层制作在n型单晶硅层的凹槽结构内，该p型单晶硅层和n型单晶硅层一起形成脊形波导结构；一p+注入层，该p+注入层制作在p型单晶硅层的上面；金属接触层，该金属接触层制作在p+注入层上面的中间位置及n+注入层上面的中间位置，分别形成调制器的正负电极；一氧化层，该氧化层制作在n型单晶硅层和p型单晶硅层的表面，起到保护作用。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610112700.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：肖特基势垒二极管
- 下一篇：一种牛羊脑组织提取器
