[发明专利]一种制备多级硅纳米器件的方法无效

专利信息
申请号: 200610113196.0 申请日: 2006-09-19
公开(公告)号: CN1919720A 公开(公告)日: 2007-02-28
发明(设计)人: 张锦;张莹莹;刘忠范;罗刚 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00;H01L21/00;H01L21/30;H01L21/205
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 关畅;任凤华
地址: 100871北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种制备多级硅纳米器件的方法。该方法包括下述步骤的至少一个循环:1)用扫描探针显微镜对硅基片的待加工的Si-H表面进行扫描探针氧化,得到纳米级氧化物图案;2)将步骤1)得到的带有氧化物图案的硅片置于各向异性腐蚀液中进行反应,得到所需多级硅纳米元件。本发明的制备多级硅纳米器件的方法,结合扫描探针显微镜分辨率高、操作灵活的优点和微电子工业中已经相对成熟的化学湿法刻蚀技术(各向异性湿法刻蚀技术),实现了多级纳米结构的制备加工。该方法分辨率高、可控性强、成本较低、操作简单,为多级纳米器件的加工制备提供了灵活简便的途径,在纳米器件领域具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 制备 多级 纳米 器件 方法
【主权项】:
1、一种制备多级硅纳米器件的方法,包括下述步骤的至少一个循环:1)用扫描探针显微镜对硅基片的待加工的Si-H表面进行扫描探针氧化,得到纳米级氧化物图案;2)将步骤1)得到的带有氧化物图案的硅片置于各向异性腐蚀液中进行反应,得到所需多级硅纳米元件。
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