[发明专利]一种制备多级硅纳米器件的方法无效
申请号: | 200610113196.0 | 申请日: | 2006-09-19 |
公开(公告)号: | CN1919720A | 公开(公告)日: | 2007-02-28 |
发明(设计)人: | 张锦;张莹莹;刘忠范;罗刚 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00;H01L21/00;H01L21/30;H01L21/205 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 关畅;任凤华 |
地址: | 100871北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备多级硅纳米器件的方法。该方法包括下述步骤的至少一个循环:1)用扫描探针显微镜对硅基片的待加工的Si-H表面进行扫描探针氧化,得到纳米级氧化物图案;2)将步骤1)得到的带有氧化物图案的硅片置于各向异性腐蚀液中进行反应,得到所需多级硅纳米元件。本发明的制备多级硅纳米器件的方法,结合扫描探针显微镜分辨率高、操作灵活的优点和微电子工业中已经相对成熟的化学湿法刻蚀技术(各向异性湿法刻蚀技术),实现了多级纳米结构的制备加工。该方法分辨率高、可控性强、成本较低、操作简单,为多级纳米器件的加工制备提供了灵活简便的途径,在纳米器件领域具有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 多级 纳米 器件 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制备多级硅纳米器件的方法,包括下述步骤的至少一个循环:1)用扫描探针显微镜对硅基片的待加工的Si-H表面进行扫描探针氧化,得到纳米级氧化物图案;2)将步骤1)得到的带有氧化物图案的硅片置于各向异性腐蚀液中进行反应,得到所需多级硅纳米元件。
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