[发明专利]一种金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法无效
| 申请号： | 200610113211.1 | 申请日： | 2006-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101148253A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈卓;刘忠范;吴忠云;童廉明 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法，该金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法包括如下步骤：通过常规光刻在含二氧化硅的衬底上制备金电极的步骤；利用聚焦离子束在电极上刻出若干个间隙的步骤；将上述电极浸入到单壁碳纳米管的DMF溶液的步骤；施加大小为2～8V、频率为1～10Hz的电场的步骤。本发明的金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法不仅简单、可控、高效，而且，能够有效提高碳纳米管电子逻辑器件以及场效应器件的性能和集成度，为碳纳米管结构的制备和实用化提供了一条可行的途径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属性 半导体 性单壁碳 纳米 同步 分离 组装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法，其特征在于，包括如下步骤：制备金电极的步骤；在电极上刻出间隙的步骤；将上述电极浸入到单壁碳纳米管的DMF溶液的步骤；施加电场的步骤。
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