[发明专利]单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法无效
| 申请号： | 200610113212.6 | 申请日： | 2006-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101150088A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 刘忠范;焦丽颖;现晓军;张莹莹;张锦 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法，属于纳电子器件技术领域。该方法包括：(1)在SiO2/Si衬底上构建多个凸起和/或凹陷的微纳结构；(2)在衬底的一端采用微接触印刷法沉积催化剂，利用化学气相沉积方法生长超长单壁碳纳米管阵列；(3)碳纳米管阵列搭在微纳结构上，使得碳纳米管的能带结构沿轴向被调控。碳纳米管与微纳结构相互作用，使得碳纳米管的能带结构沿轴向被调控。本发明可以高效、可控的实现大量碳纳米管的轴向能带调控，可与现行的半导体工业兼容，为碳纳米管器件制备和集成提供了技术支持，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 单壁碳 纳米 轴向 能带 调控 实现 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法，其步骤包括：(1)在SiO2/Si衬底上构建多个凸起和/或凹陷的微纳结构；(2)在衬底的一端采用微接触印刷法沉积催化剂，利用化学气相沉积方法生长超长单壁碳纳米管阵列；(3)碳纳米管阵列搭在衬底上的微纳结构上，使得碳纳米管的能带结构沿轴向被调控。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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