[发明专利]一种用于屏蔽强磁场的多层复合结构的磁屏蔽装置

摘要

本发明涉及核电子学与核探测技术领域，公开一种用于屏蔽强磁场的多层复合结构的磁屏蔽装置，针对目前一般的光电倍增管磁屏蔽设计无法屏蔽强磁场的问题，采用多层复合结构，从外到内包括三层：硅钢部件为中间层；合金部件为内层；螺线管线圈为外层；螺线管线圈产生与外部磁场方向相反的磁场，将强磁场大幅度削弱；硅钢部件具有较高的磁场饱和度，将外磁场进一步降低到几Gauss，最内层为合金部件，具有很高的弱磁场导磁率，将剩余的磁场进一步降低到0.001Gauss以下，远低于地磁场水平。本发明可以使被屏蔽光电倍增管在强磁场下正常工作，在核电子学与核探测技术领域有着广泛的应用。

主权项

1.一种用于屏蔽强磁场的多层复合结构的磁屏蔽装置，其特征在于，采用多层复合结构，从外到内包括三层：一硅钢部件(1)，为中间层；一合金部件(2)，为内层；一螺线管线圈(3)，为外层；将合金部件(2)置于硅钢部件(1)内部，在合金部件(2)的外部置有螺线管线圈(3)。