[发明专利]采用连续磁控溅射物理气相沉积制备Fe－6.5wt%Si薄板的方法无效
| 申请号： | 200610114114.4 | 申请日： | 2006-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1944706A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 毕晓昉;田广科 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 | 代理人： | 周长琪 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用连续磁控溅射物理气相沉积制备Fe－6.5wt％Si薄板方法，以单晶或多晶硅为阴极靶，以低硅钢带为阳极，采用磁控溅射物理气相沉积方式在低硅硅钢带单面或双面溅射沉积硅单质薄膜；随后在高温中扩散，使表层硅原子向内扩散直至钢带中的整体含硅量提高到6.5wt％，获得具有优异软磁性能的高硅硅钢带。由于本发明的方法工作效率高，制备过程的工艺参数容易控制，产品的质量容易得到保证，因此极其适合工业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 连续 磁控溅射 物理 沉积 制备 fe 6.5 wt si 薄板 方法 | ||
【主权项】：
1、一种采用连续磁控溅射物理气相沉积制备Fe-6.5wt％Si薄板方法，其特征在于有下列步骤：步骤一：选取厚度为0.1～0.35mm的低硅钢带作基板先用浓度为4～10％的稀盐酸清洗3～10min；再用浓度为75％的酒精进行清洗5～10min，吹干待用；步骤二：选取硅Si靶材选取200～300mm×100～150mm×2～5mm的硅Si，待用；步骤三：将经步骤一处理后的低硅钢带安装在磁控溅射仪的阳极板上；再将经步骤二处理后的硅Si靶材放入磁控溅射仪中，作为阴极；抽真空度至10-2～10-3Pa后，通入氩气使磁控溅射仪中的压力稳定在1～10Pa范围；调节磁控溅射共沉积条件：预热低硅钢带至500℃～800℃；放电电压280V～350V、电流0.2A～0.6A、沉积速率为0.5～1.2μm/min；在该条件下进行低硅钢带表面硅薄膜沉积，制备得到镀膜钢带；步骤四：将经步骤三处理后的镀膜钢带进行1000～1250℃高温扩散，扩散时间5～60min，即得到断面成分均匀的Fe-5.5～6.7wt％Si薄板材料。
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